Dersin Ayrıntıları
YarıyılKoduAdıT+U+LKrediAKTSSon Güncelleme Tarihi
5EEE 311ELECTRONICS-I3+0+24630.06.2026

 
Dersin Detayları
Dersin Dili İngilizce
Dersin Düzeyi Lisans
Bölümü / Programı ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ
Öğrenim Türü Örgün Öğretim
Dersin Türü Zorunlu
Dersin Öğretim Şekli Yüz Yüze
Dersin Amacı Temel yarıiletken cihazların yapısını, özelliklerini, modellerini, transistorlerin çalışma koşulları/çalışma bölgelerini anlamaları
Devre tasarımı yapabilmeleri
Laboratuvar deneyimi kazanmaları
Dersin İçeriği Yarıiletken fiziğine kısa bir genel bakış
Diyot anahtar karakteristikleri
Diyot devreleri ve uygulamaları
Bipolar Bağlantı Transistörü (BJT)
BJT'nin özellikleri ve parametreleri
BJT'nin biyas ve termal stabilizasyon yöntemi
Alan Etkili Transistör (FET) (Bağlantı Alan Etkili Transistör (JFET)
ve metal oksit yarıiletken alan etkili transistör (MOSFET))
JFET ve MOSFET'in biyaslanması
Dersin Yöntem ve Teknikleri Face to face
Ön Koşulları ( EEE 201 )
Dersin Koordinatörü Prof.Dr. Nuran DOĞRU
Dersi Verenler Dr.Öğr.Üyesi Mehmet DEMİR
Dersin Yardımcıları Yok
Dersin Staj Durumu Yok

Ders Kaynakları
Kaynaklar Electronic Circuit Analysis and Design, Donald A. Neamen

Ders Yapısı
Matematik ve Temel Bilimler %10
Mühendislik Bilimleri %80
Mühendislik Tasarımı %10

Planlanan Öğrenme Aktiviteleri ve Metodları
Etkinlikler ayrıntılı olarak "Değerlendirme" ve "İş Yükü Hesaplaması" bölümlerinde verilmiştir.

Değerlendirme Ölçütleri
Yarıyıl Çalışmaları Sayısı Katkı
Ara Sınav 2 % 50
Uygulama 1 % 10
Yarıyıl Sonu Sınavı 1 % 40
Toplam :
4
% 100

 
AKTS Hesaplama İçeriği
İş Yükü Sayısı Süre Toplam İş Yükü (Saat)
Haftalık teorik ders saati 14 3 42
Haftalık uygulamalı ders saati 14 7 98
Materyal tasarlama, uygulama 2 2 4
Sunu hazırlama 14 2 28
Ara sınav ve ara sınava hazırlık 1 2 2
Toplam İş Yükü   AKTS Kredisi : 6 174

 
Dersin Öğrenme Çıktıları: Bu dersin başarılı bir şekilde tamamlanmasıyla öğrenciler şunları yapabileceklerdir:
Sıra NoAçıklama
1 Fonksiyonel diyot devrelerinin analizi ve tasarımı
2 Temel elektronik devrelerin (kırpıcı, kenetleyici, doğrultucu vb.) analizi ve tasarımı
3 Temel analog BJT, FET (JFET/MOSFET) amplifikatör konfigürasyonlarının analizi ve tasarımı
4 Yarı iletken cihazların özelliklerini, biyas tekniklerini ve devre modellerini tanımlama
5 Elektronik devrelerle ilgili problem çözme becerilerini geliştirme
6 Elektronik devrelerin tasarımı, analizi ve performans değerlendirmeleri için PSPICE gibi modern simülasyon araçlarını uygulama

 
Ders Konuları
HaftaKonuÖn HazırlıkDökümanlar
1 Diyot; ideal diyot
2 Zener diyot; Diyotun bazı uygulamaları
3 Kırpma (sınırlama) devreleri; kenetleme (DC geri kazandırma) devreleri
4 Gerilim iki katlayıcı; doğrultucu devreler (yarım dalga, tam dalga)
5 Doğrultucu devreler (yarım dalga, tam dalga)
6 Zener Diyot regülatörü
7 Zener diyot regülatörü
8 Bipolar eklemli transistör devreleri (BJT); BJT’nin DC kutuplaması
9 Bipolar eklemli transistör devreleri (BJT); BJT’nin DC kutuplaması
10 Eklem alan etkili transistör (JFET) / JFET’in akım-gerilim karakteristikleri
11 MOSFET kutuplaması / MOSFET’in akım-gerilim karakteristikleri
12 MOSFET kutuplaması / MOSFET’in akım-gerilim karakteristikleri
13 Akım aynaları
14 Akım aynaları

 
Sürdürülebilir Kalkınma Amaçları
Dersin Program Çıktılarına Katkısı
P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 P10 P11
Ö1 5 5 5 5
Ö2 5 5 5 5
Ö3 5 5 5 5
Ö4 5 5 5 5
Ö5 5 5 5 5
Ö6 5 5 5 5

  Katkı Düzeyi: 1: Çok Düşük 2: Düşük 3: Orta 4: Yüksek 5: Çok Yüksek

  
  https://obs.gaziantep.edu.tr/oibs/bologna/progCourseDetails.aspx?curCourse=337748&lang=tr