| Yarıyıl | Kodu | Adı | T+U+L | Kredi | AKTS | Son Güncelleme Tarihi |
|
Dersin Dili
|
İngilizce
|
|
Dersin Düzeyi
|
Lisans
|
|
Bölümü / Programı
|
ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ
|
|
Öğrenim Türü
|
Örgün Öğretim
|
|
Dersin Türü
|
Zorunlu
|
|
Dersin Öğretim Şekli
|
Yüz Yüze
|
|
Dersin Amacı
|
Temel yarıiletken cihazların yapısını, özelliklerini, modellerini, transistorlerin çalışma koşulları/çalışma bölgelerini anlamaları
Devre tasarımı yapabilmeleri
Laboratuvar deneyimi kazanmaları
|
|
Dersin İçeriği
|
Yarıiletken fiziğine kısa bir genel bakış
Diyot anahtar karakteristikleri
Diyot devreleri ve uygulamaları
Bipolar Bağlantı Transistörü (BJT)
BJT'nin özellikleri ve parametreleri
BJT'nin biyas ve termal stabilizasyon yöntemi
Alan Etkili Transistör (FET) (Bağlantı Alan Etkili Transistör (JFET)
ve metal oksit yarıiletken alan etkili transistör (MOSFET))
JFET ve MOSFET'in biyaslanması
|
|
Dersin Yöntem ve Teknikleri
|
Face to face
|
|
Ön Koşulları
|
( EEE 201 )
|
|
Dersin Koordinatörü
|
Prof.Dr. Nuran DOĞRU
|
|
Dersi Verenler
|
Dr.Öğr.Üyesi Mehmet DEMİR
|
|
Dersin Yardımcıları
|
Yok
|
|
Dersin Staj Durumu
|
Yok
|
Ders Kaynakları
|
Kaynaklar
|
Electronic Circuit Analysis and Design, Donald A. Neamen
|
Ders Yapısı
|
Matematik ve Temel Bilimler
|
%10
|
|
|
Mühendislik Bilimleri
|
%80
|
|
|
Mühendislik Tasarımı
|
%10
|
|
|
Planlanan Öğrenme Aktiviteleri ve Metodları
Etkinlikler ayrıntılı olarak "Değerlendirme" ve "İş Yükü Hesaplaması" bölümlerinde verilmiştir.
Değerlendirme Ölçütleri
|
Yarıyıl Çalışmaları
|
|
Toplam :
|
4
|
%
100
|
AKTS Hesaplama İçeriği
|
İş Yükü
|
Toplam İş Yükü (Saat)
|
|
Toplam İş Yükü
| |
|
AKTS Kredisi : 6
180
|
Dersin Öğrenme Çıktıları: Bu dersin başarılı bir şekilde tamamlanmasıyla öğrenciler şunları yapabileceklerdir:
Ders Konuları
| Hafta | Konu | Ön Hazırlık | Dökümanlar |
Sürdürülebilir Kalkınma Amaçları
Dersin Program Çıktılarına Katkısı
Katkı Düzeyi: 1: Çok Düşük 2: Düşük 3: Orta 4: Yüksek 5: Çok Yüksek