Dersin Ayrıntıları
YarıyılKoduAdıT+U+LKrediAKTSSon Güncelleme Tarihi
2EEE513INTEGRATED CIRCUIT TECHOLOGY3+0+03604.08.2026

 
Dersin Detayları
Dersin Dili İngilizce
Dersin Düzeyi Yüksek Lisans
Bölümü / Programı ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜH.(Tezli Y.Lisans)
Öğrenim Türü Örgün Öğretim
Dersin Türü Seçmeli
Dersin Öğretim Şekli Yüz Yüze
Dersin Amacı Bu dersin amacı, öğrencilerin entegre devre üretim teknolojilerinin temel prensiplerini öğrenmelerini sağlamaktır. Ders kapsamında yarıiletken malzeme hazırlama, oksidasyon, difüzyon, iyon implantasyonu, fotolitografi, ince film biriktirme teknikleri, aşındırma süreçleri ve CMOS üretim akışı incelenir.
Dersin İçeriği Silisyum kristali büyütme ve wafer (yonga levhası) üretimi. Wafer temizleme ve hazırlama işlemleri. Termal oksidasyon. Difüzyon ve iyon implantasyonu süreçleri. Fotolitografi teknikleri. Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD), Fiziksel Buhar Biriktirme (PVD) ve epitaksi dahil ince film biriktirme yöntemleri. Islak ve kuru aşındırma (etching) teknikleri. Metalizasyon süreçleri. CMOS üretim teknolojisi. Verim (yield) ve kusur (defect) analizi. Temiz oda (cleanroom) teknolojisi ve süreç entegrasyonu.
Dersin Yöntem ve Teknikleri Yüz yüze
Ön Koşulları Yok
Dersin Koordinatörü Prof.Dr. Nuran DOĞRU
Dersi Verenler Prof.Dr. NURAN DOĞRU
Dersin Yardımcıları Yok
Dersin Staj Durumu Yok

Ders Kaynakları
Kaynaklar Silicon VLSI Technology: Fundamentals, Practice and Modeling,James D. Plummer, Michael D. Deal, Peter B. Griffin
Fundamentals of Modern VLSI Devices, Yuan Taur, Tak H. Ning

Ders Yapısı
Matematik ve Temel Bilimler %10
Mühendislik Bilimleri %90

Planlanan Öğrenme Aktiviteleri ve Metodları
Etkinlikler ayrıntılı olarak "Değerlendirme" ve "İş Yükü Hesaplaması" bölümlerinde verilmiştir.

Değerlendirme Ölçütleri
Yarıyıl Çalışmaları Sayısı Katkı
Ara Sınav 2 % 60
Yarıyıl Sonu Sınavı 1 % 40
Toplam :
3
% 100

 
AKTS Hesaplama İçeriği
İş Yükü Sayısı Süre Toplam İş Yükü (Saat)
Haftalık teorik ders saati 14 3 42
Sunu hazırlama 1 5 5
Sunum 1 2 2
Ara sınav ve ara sınava hazırlık 2 20 40
Final sınavı ve final sınavına hazırlık 1 35 35
Diğer (Belirtiniz) 14 4 56
Toplam İş Yükü   AKTS Kredisi : 6 180

 
Dersin Öğrenme Çıktıları: Bu dersin başarılı bir şekilde tamamlanmasıyla öğrenciler şunları yapabileceklerdir:
Sıra NoAçıklama
1 Entegre devre üretim süreçlerini açıklar.
2 Silikon wafer üretim aşamalarını tanımlar.
3 Oksidasyon ve difüzyon süreçlerini analiz eder.
4 İyon implantasyonunun cihaz özelliklerine etkisini değerlendirir.
5 Fotolitografi süreçlerini ve maske tasarım prensiplerini açıklar.
6 İnce film biriktirme tekniklerini karşılaştırır.
7 Aşındırma yöntemlerini uygulama alanlarına göre seçer.
8 CMOS üretim akışını yorumlar.
9 Üretim sürecindeki hata kaynaklarını analiz eder.
10 Temel temiz oda kurallarını uygular.

 
Ders Konuları
HaftaKonuÖn HazırlıkDökümanlar
1 Entegre devre teknolojisine giriş Yarıiletken malzemeler ve silikon wafer üretimi
2 Kristal büyütme yöntemleri
3 Wafer hazırlama ve temizleme
4 Termal oksidasyon
5 Difüzyon teknolojisi
6 İyon implantasyonu
7 İyon implantasyonu
8 Fotolitografi prensipleri, İnce film teknolojileri (CVD, PVD)
9 Epitaksiyel büyütme
10 Islak ve kuru aşındırma
11 Metalizasyon ve bağlantı teknolojileri
12 CMOS üretim akışı
13 CMOS üretim akışı
14 Üretim verimi ve süreç entegrasyonu

 
Sürdürülebilir Kalkınma Amaçları
Dersin Program Çıktılarına Katkısı
P1 P2 P3 P4
Tüm 5 5 4 4
Ö1 5 5 4 4
Ö2 5 5 4 4
Ö3 5 5 4 4
Ö4 5 5 4 4
Ö5 5 5 4 4
Ö6 5 5 4 4
Ö7 5 5 4 4
Ö8 5 5 4 4
Ö9 5 5 4 4
Ö10 5 5 4 4

  Katkı Düzeyi: 1: Çok Düşük 2: Düşük 3: Orta 4: Yüksek 5: Çok Yüksek

  
  https://obs.gaziantep.edu.tr/oibs/bologna/progCourseDetails.aspx?curCourse=147969&lang=tr